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作者:365bet线上网投 发布时间:2019-10-17 阅读:
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7nm + 6Mmm台积电工艺将于2020年末到货 2019-10-911：52 [Tianji.com手机频道]台积电于10月8日正式宣布，已向客户大量提供采用EUV光刻技术的N7 +（7nm +）工艺。这是台积电和整个行业的第一个EUV EUV光刻商业化工艺。 台积电没有公布使用7nm +工艺的客户名单。我们唯一可以确认的是，麒麟9905G采用了7nm +工艺，而AMD的下一代Zen3架构被标记为7nm +工艺。 台积电表示，EUV光刻机可以稳定地产生每日250 W的生产需求，完全可以满足当前和未来新工艺的需求。 台积电还表示，7nm +是台积电历史上最快的量产工艺之一。大规模生产从第二季度开始，回报率迅速达到了已经生产了一年多的7nm工艺水平。 与7nm相比，7nm +可以使产品的晶体管密度提高15-20％，并改善对能耗的控制。 台积电6nm，5nm，3nm，2nm和6nm（N6）等效于7nm改进版，设计规则完全兼容，继续采用EUV技术，晶体管密度提高了18％越来越多的7nm是2020年第一季度的测试生产，并将在年底批量生产。 三星还计划将EUV引入7纳米制程节点，但由于性能问题而陷入困境，台积电（TSMC）仍在进步。 EUV光刻技术于1980年代开发，最初计划用于70 nm工艺。 EUV光刻使用波长为10-14 nm的极紫外光作为光源，以将曝光波长减小到13。 5nm促进了更高级工艺的半导体发展。 但是，由于不需要高成本的光刻机指示器，因此芯片制造商必须选择更复杂且繁琐的浸没式光刻，两次曝光或多次曝光才能获得新的曝光。研发过程。 
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